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AP2012S
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:18V 电流:12A
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- 描述
- 特性：18V, 12A。 RDS(ON) < 11mΩ @ VGS = 4.5V, TYP = 9mΩ。 RDS(ON) < 14mΩ @ VGS = 2.5V, TYP = 12mΩ。 先进沟槽技术。 获得无铅产品认证。应用：接口。 开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP2012S
- 商品编号
- C2849574
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.179克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品特性
- 40V、50A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 8.5 mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 15 mΩ
- 提供无铅环保器件
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关-PWM应用-电源管理