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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP6007S

N沟道增强型MOSFET 耐压:60V 电流:12A

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描述
特性:60V,12A。 RDS(ON) <12mΩ @VGS=10V。 RDS(ON) <17mΩ @VGS=4.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关
品牌名称
ALLPOWER(铨力)
商品型号
AP6007S
商品编号
C2849577
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.179克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)77nC@10V
输入电容(Ciss)4.605nF
反向传输电容(Crss)191pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)215pF

商品概述

3400采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 5.8A
  • 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 59 mΩ
  • 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 45 mΩ
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 41 mΩ
  • 高功率和电流处理能力
  • 产品无铅
  • 表面贴装封装

数据手册PDF