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AP2003
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- AP2003采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻Rps(on)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于众多其他应用。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP2003
- 商品编号
- C2849575
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 63pF |
商品概述
这款100 V、2.8 mΩ、D²PAK (TO-263) 功率MOSFET旨在最大限度地降低电源转换应用中的损耗。
商品特性
- N沟道:
- VDS = 20V,ID = 3A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 35mΩ
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 55mΩ
- P沟道:
- VDS = -20V,ID = -3A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 75mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 100mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
- 无卤素
应用领域
- 热插拔
- 电机控制
- 次级侧同步整流器