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AP30H50Q
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 特性：30V，40A，RDS(ON) < 9mΩ @ VGS = 10V，TP = 6.5mΩ；RDS(ON) < 14mΩ @ VGS = 4.5V，TP = 9.0mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP30H50Q
- 商品编号
- C2849568
- 商品封装
- PDFN3X3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.116nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 187pF |
商品特性
- 30V、75A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) = 4.8 mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 6.5 mΩ（典型值）
- 先进的沟槽技术
- 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用