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AP4580
全桥MOSFET 2个N沟道+2个P沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP4580
- 商品编号
- C2849569
- 商品封装
- SOT-23-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道+2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 146mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
AP5N10S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景，具备ESD保护功能。
商品特性
- N沟道
- P沟道
- 漏源击穿电压(BVDSS) = 20V
- 漏源击穿电压(BVDSS) = -20V
- 漏源导通电阻(RDS(on))(@栅源电压(VGS) = 4.5V)< 72mΩ
- 漏源导通电阻(RDS(on))(@栅源电压(VGS) = -4.5V)< 146mΩ
- 漏源导通电阻(RDS(on))(@栅源电压(VGS) = 2.5V)< 90mΩ
- 漏源导通电阻(RDS(on))(@栅源电压(VGS) = -2.5V)< 220mΩ
- 先进沟槽技术
- 出色的漏源导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制(PWM)应用
- 电源管理