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AP90P03Q
P沟道增强型MOSFET 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 特性：-30V, -60A。 RDS(ON) < 7.5mΩ @VGS = -10V。 RDS(ON) < 12mΩ @VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP90P03Q
- 商品编号
- C2849567
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 493pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 534pF |
商品概述
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 采用SOT - 23表面贴装封装
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V
- 漏极电流（ID） = 5A
- 在栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻RDS(ON) 典型值 = 35mΩ
- 在栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) 典型值 = 40mΩ