温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TF3618
N沟道增强型MOSFET 耐压:30V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：100% UIS测试。 100% Rg测试。 Trench Power aMOS技术。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 高电流能力。应用：DC/DC转换器，用于计算领域。 隔离式DC/DC转换器，用于电信和工业领域
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF3618
- 商品编号
- C2839892
- 商品封装
- PDFNWB-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.088克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品特性
- 漏源电压VDS = -20 V，漏极电流ID = -2.8 A
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 135 mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 190 mΩ
- 高功率和高电流处理能力
- 符合无铅产品标准
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理