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TF075N03M
N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 特性：30V/30A。 RDS(ON) = 7.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON) = 9.3mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 超高密度单元设计。 快速开关速度。 低栅极电荷。 100%雪崩测试。 提供无铅和环保器件
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF075N03M
- 商品编号
- C2839901
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.084克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.007nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 117pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF |
商品特性
- 30V/30A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 7.5 mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 9.3 mΩ(典型值)
- 超高密度单元设计
- 快速开关速度
- 低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 提供无铅和环保器件
应用领域
- 开关应用系统