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TF30115
N沟道 耐压:30V 电流:115A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF30115
- 商品编号
- C2839905
- 商品封装
- PDFNWB-8L-EP(5x6)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.225nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 986pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：采用超级结结构DTMOS时，RDS(ON) = 0.327 Ω（典型值）
- 栅极开关易于控制
- 增强型：V_th = 2.7至3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）
应用领域
- 开关稳压器