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TF30115
N沟道 耐压:30V 电流:115A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且可以在低至4.5V的栅极电压下工作。
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF30115
- 商品编号
- C2839905
- 商品封装
- PDFNWB-8L-EP(5x6)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.225nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 986pF |
商品特性
- VDS = 30V,ID = 115A
- RDS(ON) < 6.0 m Ω(@ VGS = 4.5 V)
- RDS(ON) < 4.0 m Ω(@ VGS = 10 V)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- 负载开关
- 电源管理