温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TF60N02
N沟道 耐压:20V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- TF60N02将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF60N02
- 商品编号
- C2839917
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.784nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
30115采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
商品特性
- 漏源电压 = 30V，漏极电流 = 115A
- 栅源电压 = 4.5V时，漏源导通电阻 < 6.0 mΩ
- 栅源电压 = 10V时，漏源导通电阻 < 4.0 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- 负载开关
- 电源管理