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TF040N03N
N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- TF040N0 3N将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF040N03N
- 商品编号
- C2839906
- 商品封装
- PDFNWB-8L-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.784nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 266pF |
商品概述
PD84002是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带商业和工业应用而设计。在共源极模式下，它可在高达1 GHz的频率和7V电压下工作。 PD84002卓越的增益和效率使其成为便携式无线电和超高频（UHF）射频识别（RFID）阅读器的理想解决方案。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大限度地降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
应用领域
- MB/VGA内核电压
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器