温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TF100N03M
N沟道 耐压:30V 电流:24A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：100% UIS测试。 100% Rg测试。 沟槽功率aMOS技术。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 高电流能力。应用：计算领域的DC/DC转换器。 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF100N03M
- 商品编号
- C2839902
- 商品封装
- PDFNWB-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 143pF |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 全新的Micro8封装，其占位面积仅为标准SO - 8封装的一半，是SOIC外形中占位面积最小的封装。这使得Micro8成为印刷电路板空间宝贵的应用场景的理想器件。Micro8的低外形（<1.1mm）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子产品和PCMCIA卡。
商品特性
- 超低导通电阻
- 超小SOIC封装
- 低外形（<1.1mm）
- 快速开关
- 无铅