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TF040N03M
N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- TF040N0 3M将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF040N03M
- 商品编号
- C2839899
- 商品封装
- PDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.084克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.784nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 266pF |
商品特性
- 沟槽功率αMOS技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 符合RoHS标准且无卤
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
- 100%进行了栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 计算领域的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器