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GBI5120NMCR

1.2V~6.5V 2A 6.5V

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描述: 6.5V 2A Ultralow Noise High PSRR Fast Transient Response CMOS LDO Regulator
品牌名称: GOSEMICON(顾邦半导体)
商品型号: GBI5120NMCR
商品编号: C28324639
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.233333克(g)

商品参数

商品概述

一款CMOS低噪声、低压差线性稳压器（LDO），工作电压范围为2.3V至6.5V，可提供高达2A的输出电流。这款高输出电流LDO非常适合为工作在6V至1.2V电源轨的高性能模拟和混合信号电路进行稳压。该器件具有高电源抑制比和低噪声特性，仅需一个2.2μF的陶瓷输出电容，就能实现出色的线路和负载瞬态响应。对于1mA至1.5A的负载阶跃，负载瞬态响应时间通常为1.5μs。通过外部反馈电阻分压器，输出电压范围可从1.2V至输入电压（VIN）减去压差（VDO）。可通过软启动引脚调整启动时间来控制浪涌电流。使用1nF软启动电容时，典型启动时间为1ms。稳压器的输出噪声为5μVrms，与输出电压无关。采用8引脚3mm x 3mm DFN封装，不仅解决方案非常紧凑，而且对于在小尺寸、薄型封装中需要高达2A输出电流的应用，还能提供出色的热性能。

商品特性

输入电压范围：2.3V至6.5V
最大负载电流：2A
低噪声：在100Hz至100kHz范围内，输出电压无关，噪声为5μVRMS
快速瞬态响应：对于1mA至1.5A的负载阶跃，响应时间为1.5μs
在100kHz时，电源抑制比（PSRR）为60dB
低压差：在2A负载、输出电压（VOUT）为3V时，压差为150mV
初始精度：-1%（最小值），+1%（最大值）
线路、负载和温度范围内的精度：±1.5%
无负载时，地电流（IGND）为0.7mA
低关断电流：在输入电压（VIN）为5V时，关断电流为0.25μA
使用2.2μF小型陶瓷输出电容即可保持稳定
输出电压可在1.2V至输入电压减去压差之间调节
具备精确可调的软启动功能
8引脚3mm x 3mm DFN封装

应用领域

通信与基础设施
医疗保健
工业与仪器仪表
对噪声敏感的应用：ADC/DAC精密放大器、PLL/VCO和时钟IC

数据手册PDF

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	属性	参数值
	静态电流(Iq)	650uA
	噪声	5uVrms
	功能特性	过流保护；热关断；使能控制；输入欠压保护
	工作温度	-40℃~+125℃@(Tj)
	输出极性	正极
	输出通道数	1

	属性	参数值
	商品目录	线性稳压器(LDO)
	输出类型	可调
	工作电压	6.5V
	输出电压	1.2V~6.5V
	输出电流	2A
	电源纹波抑制比(PSRR)	60dB@(100kHz)
	压差	150mV@(2A)