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GBS032R4PMAR
N沟道 耐压:30V 电流:180A
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- 描述
- N-channel 30V 1.3mΩ (Typ) Power MOSFET
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBS032R4PMAR
- 商品编号
- C28324646
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2454克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款30V低压SGT MOSFET实现了超低导通电阻，使该器件适用于电池应用。 由于开关性能和传导性能之间的出色平衡，GBS030R8T在硬开关和软开关拓扑中均提供了非常高的效率。GBS030R8T采用PDFN5*6-8L封装。
商品特性
- 30V击穿电压
- 超低导通电阻（RDS - ON）
- 在高结温（Tj）下仍具有超低导通电阻（RDS - ON）
- 可靠耐用
- PDFN5*6-8L封装
应用领域
- 电池充电器
- 电池管理系统（BMS）
- 开关稳压器
- 电机驱动器