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GBS030R8TLAR
N沟道,电流:130A,耐压:30V
- 描述
- N-channel 30V 1.05mΩ(Typ) Power MOSFET
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBS030R8TLAR
- 商品编号
- C28324649
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.916667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.9nF |
商品概述
这款30V低压SGT MOSFET实现了超低导通电阻，使该器件适用于电池应用。 由于开关性能和导通性能之间的出色平衡，GBS030R8T在硬开关和软开关拓扑中均提供了非常高的效率。GBS030R8T采用TOLL封装。
商品特性
- 30V击穿电压
- 超低 RDS - ON
- 高温结温(Tj)下超低 RDS - ON
- 可靠且耐用
- TOLL-8
应用领域
-电池充电器-电池管理系统(BMS)-开关稳压器-电机驱动器