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GBS032R4PMBR
N沟道 耐压:30V 电流:168A
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- 描述
- N-channel 30V 1.55mΩ (Typ) Power MOSFET
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBS032R4PMBR
- 商品编号
- C28324647
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.630593克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 168A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HSX044N25是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSX044N25符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应抑制能力，采用先进的高单元密度沟槽技术。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
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