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GBS032R4PMBR

N沟道耐压:30V 电流:168A

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描述: N-channel 30V 1.55mΩ (Typ) Power MOSFET
品牌名称: GOSEMICON(顾邦半导体)
商品型号: GBS032R4PMBR
商品编号: C28324647
商品封装: PDFN3.3x3.3-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.630593克(g)

商品参数

商品概述

HSX044N25是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSX044N25符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应抑制能力，采用先进的高单元密度沟槽技术。

商品特性

针对高性能降压转换器进行优化
超低RDS-ON和FOM(导通电阻×栅极电荷)
卓越的热阻
快速开关
100%雪崩测试

应用领域

低压DC-DC转换器
开关稳压器
电池充电器
电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	168A
	导通电阻(RDS(on))	2.8mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	83W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.9V
	栅极电荷量(Qg)	50nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.1nF
	反向传输电容(Crss)	100pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道