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GBP65200GPMAR
650V氮化镓功率级
- 描述
- Enhancement-mode 650V 140mΩ(Typ) GaN Power Transistor
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBP65200GPMAR
- 商品编号
- C28324644
- 商品封装
- PDFN-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.291633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | AC-DC控制器和稳压器 | |
| 工作电压 | 8V~20V | |
| 开关频率 | 1MHz | |
| 输出电流 | 6.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 晶体管耐压 | 650V | |
| 拓扑结构 | 半桥式；升压式 | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
GBP65200G是一款650V氮化镓功率级器件，针对高频软开关拓扑进行了优化。氮化镓、驱动器和逻辑电路的单片集成打造出易于使用的高性能动力总成构建模块，使设计人员能够打造出最快、最小、最高效的集成动力总成。低至 -5V 的输入能力增强了输入抗噪性。极低的静态电流降低了电源转换器的待机功耗。该器件采用非重叠驱动器设计，避免输出级出现直通现象。 GBP65200G是一款650V氮化镓功率级器件，集成了高速驱动器和一个导通电阻为150 mΩ的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT），针对高频软开关拓扑进行了优化。高达1MHz的开关频率使设计人员能够开发出更高功率密度的电源。 GBP65200G支持宽PWM输入迟滞，与TTL低压逻辑兼容。TTL逻辑输入简化了PWM输入电路设计，无需任何额外的缓冲器或电平转换电路。同时，宽迟滞提高了抗噪性。GBP65200G的静态电流极低，可降低电源转换器的待机功耗。 栅极驱动器中集成了一个6.2V的低压差线性稳压器（LDO），该LDO直接为氮化镓HEMT的栅极供电，简化了片外元件，使PCB布局最小化。 GBP65200G内部驱动器的输入到输出的最小传播延迟为15ns。能够处理 -5V直流输入增强了驱动器输入级的抗噪性，轨到轨驱动器提高了GBP65200G输出级在开关负载快速转换期间的稳健性。 GBP65200G的电源电压范围为7V至20V。为获得最佳电路性能，建议并联两个VDD旁路电容，以防止电源VDD出现噪声问题。一个0.1μF的表面贴装陶瓷电容必须尽可能靠近VDD和GND引脚放置。此外，必须并联一个具有相对较低等效串联电阻（ESR）的大电容（例如1μF或10μF），以避免意外的VDD电源毛刺。电容的并联组合为应用中的预期电流水平和开关频率呈现出低阻抗特性。 PWM输入与TTL逻辑兼容，使该器件易于通过PWM控制信号使用。 宽输入迟滞，典型高阈值为3.1V，典型低阈值为1.1V，与传统TTL逻辑实现相比，增强了抗噪性。GBP65200G还具有对输入阈值电压的严格控制，确保在不同温度下稳定运行。输入引脚的低输入电容提高了开关速度并减少了传播延迟。 GBP65200G实现了欠压锁定（UVLO）功能，典型上升阈值为5V，典型迟滞为500mV。当VDD上升但电平低于UVLO阈值时，无论输入状态如何，UVLO都会使输出保持低电平。迟滞可防止输出抖动，避免噪声对电源产生影响。上电期间，驱动器输出保持低电平，直到VDD电压达到UVLO阈值。OUT信号的幅度随VDD上升，直到VDD达到稳态。 当VDD低于欠压锁定阈值（VDD_UVLO）时，GBP65200G会使驱动器输出保持低电平。
商品特性
- 单片集成栅极驱动器
- 7V - 20V宽电源电压范围
- -5V - 20V宽逻辑输入电压能力
- TTL输入逻辑阈值
- 650V氮化镓HEMT，低导通电阻150 mΩ
- 零反向恢复电荷
- 最高1MHz工作频率
- 低静态电流：120μA
- 输入浮空时输出为低电平
- 采用PDFN 5x6 mm封装
应用领域
- AC-DC、DC-DC降压、升压、半桥、全桥
- 有源钳位反激、LLC谐振
- 移动快速充电器、适配器
- 笔记本电脑适配器
- LED照明、太阳能微型逆变器
- 电视/显示器、无线电源
- 服务器、电信和网络开关电源
- 升压
- 半桥