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GBG65200NMAR
650V 增强型 GaN 功率晶体管
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- 描述
- Enhancement-mode 650V 140mΩ(Typ) GaN Power Transistor
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBG65200NMAR
- 商品编号
- C28324645
- 商品封装
- PDFN-9L(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 68pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ |