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HSSK7800
2个N沟道 耐压:20V 电流:1A
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- 描述
- HSSK7800在快速开关、低导通电阻和成本效益方面实现了最佳组合。HSS7800符合RoHS标准和绿色产品要求，且具备全面功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSSK7800
- 商品编号
- C28314503
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 90pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 20A，当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 6.5mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能出色。