温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSW2N10D
2个N沟道 耐压:100V 电流:2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- HSW2N10D 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。HSW2N10D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并已通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSW2N10D
- 商品编号
- C28314507
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |