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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LNG07R085H

N沟道,电流:70A,耐压:70V

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商品型号
LNG07R085H
商品编号
C2836176
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.482克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)70V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)78W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)65.4nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)3.57nF
反向传输电容(Crss)197pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)248pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用了沟槽双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(trench DMOST)技术。这项先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 70V、70A,RDS(on)最大值 = 8.5mΩ(VGS = 10V时)
  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证抗雪崩能力
  • 有环保型器件可供选择

应用领域

  • 电机驱动器
  • 不间断电源(UPS)
  • DC-DC转换器

数据手册PDF