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LSGNE03R098WB
N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用分裂栅沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSGNE03R098WB
- 商品编号
- C2836196
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.102克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 563pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷（典型值Qg = 10.2 nC）
- 100%进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器
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