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ASDM6802ZC-R
2个N沟道 耐压:30V 电流:4.5A
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- 描述
- 特性：高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。 提供SOT23-6封装。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM6802ZC-R
- 商品编号
- C2836206
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 245pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
CS4N70F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 高功率和大电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
- 采用SOT23-6封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理