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LND12N50
N沟道,电流:12A,耐压:500V
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LND12N50
- 商品编号
- C2836229
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.612nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FSMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。低阈值电压（Vth）系列专为低驱动电压的同步整流电源系统设计。
商品特性
- 低 RDS(on)
- 低栅极电荷(典型值 Qg = 33.2 nC)
- 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正。-开关模式电源。-LED驱动器。