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LSE80R680GT
N沟道 耐压:800V 电流:8A
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- 描述
- 采用先进的超结技术制造。由此产生的器件具有极低的导通电阻，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSE80R680GT
- 商品编号
- C2836177
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 680mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.25mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 873pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.54pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 0.8A
- 栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 250 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 2.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 300 mΩ
- 静电放电（ESD）保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换