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LSGE06R046HWB
N沟道 耐压:60V 电流:104A
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- 描述
- N沟道增强型功率场效应晶体管采用分裂栅沟槽DMOS技术。这种先进技术专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSGE06R046HWB
- 商品编号
- C2836186
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 104A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.511nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CS4N65 A3HD1-G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 251，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 增强的静电放电（ESD）能力
- 低栅极电荷（典型数据：14.5nC）
- 低反向传输电容（典型值：8.5pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。
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