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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LSGE10R042

N沟道, 145A, 100V

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商品型号
LSGE10R042
商品编号
C2836187
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型-
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)145A
导通电阻(RDS(on))4.35mΩ@10V,40A
耗散功率(Pd)156W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
栅极电荷量(Qg)65nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.838nF@50V
反向传输电容(Crss)13.4pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用了分裂栅沟槽DMOST技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • 30V、30A,RDS(on)最大值 = 9.8 mΩ(VGS = 10 V时)
  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证EAS
  • 有环保型器件可供选择

应用领域

  • 电机驱动器
  • 不间断电源(UPS)
  • DC-DC转换器

数据手册PDF