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LND9N50
N沟道,电流:9A,耐压:500V
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LND9N50
- 商品编号
- C2836231
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.5nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.063nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 107pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷(典型值Qg = 22.5 nC)
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源
- LED驱动器