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LNC2N65
N沟道,电流:2A,耐压:650V
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LNC2N65
- 商品编号
- C2836226
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 338pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -16V，漏极电流（ID） = -3.8A
- 当栅源电压（VGS） = -4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 52mΩ
- 当栅源电压（VGS） = -2.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 78mΩ
- SOT - 23 封装
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理
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