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LSGC04R025B
N沟道,电流:120A,耐压:40V
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- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LSGC04R025B
- 商品编号
- C2836184
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 178pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.79nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±18V |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用了分裂栅沟槽DMOST技术。这项先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 40V、120A,在VGS = 10V时,RDS(on)最大值为2.5mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保器件可供选择
应用领域
- 电机驱动器
- 不间断电源(UPS)
- DC-DC转换器