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LNC2N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
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- 描述
- 功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 商品型号
- LNC2N60
- 商品编号
- C2836225
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 338pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品特性
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 出色的（Qg x RDS(on)）品质因数（FOM）
- 符合JEDEC标准
应用领域
- AC/DC快充同步整流
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）
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