温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSW2N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:1.4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- HSW2N15 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSW2N15 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSW2N15
- 商品编号
- C2828483
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 33pF |
商品概述
CS1N60 C1HD 是采用自对准平面技术制造的硅 N 沟道增强型 VDMOSFET，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为 TO - 92，符合 RoHS 标准。
商品特性
- 快速开关
- 增强的 ESD 能力
- 低栅极电荷（典型数据：7.5nC）
- 低反向传输电容（典型值：5.0pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。