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HY1506C2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HY1506C2

1个N沟道 耐压:60V 电流:48A

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描述
特性:60V/48A。RDS(ON) = 10.5mΩ(典型值)@VGS = 10V。RDS(ON) = 12.2mΩ(典型值)@VGS = 4.5V。100%雪崩测试。可靠耐用。有无卤器件可供选择。应用:高频负载点同步降压转换器。电动工具应用
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HY1506C2
商品编号
C2827225
商品封装
TDSON-8(5.2x5.9)​
包装方式
编带
商品毛重
0.219克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)48A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)52.6nC
输入电容(Ciss)2.286nF
反向传输电容(Crss)142pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)187pF

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 60V/48A
  • 在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) = 10.5 mΩ(典型值)
  • 在 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) = 12.2 mΩ(典型值)
  • 经过 100% 雪崩测试
  • 可靠耐用
  • 提供无卤器件

应用领域

-高频负载点同步降压转换器-电动工具应用-网络直流-直流电源系统

数据手册PDF