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HY1506C2
1个N沟道 耐压:60V 电流:48A
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- 描述
- 特性：60V/48A。RDS(ON) = 10.5mΩ（典型值）@VGS = 10V。RDS(ON) = 12.2mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。100%雪崩测试。可靠耐用。有无卤器件可供选择。应用：高频负载点同步降压转换器。电动工具应用
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1506C2
- 商品编号
- C2827225
- 商品封装
- TDSON-8(5.2x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.219克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.286nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 187pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)——确保导通损耗最小化
- 出色的Qgd × RDS(ON)乘积（品质因数）
- 适用于DC-DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装可实现更高密度的终端产品
- 通过实现更小的终端产品，仅占用33%的电路板面积
- 100% UIS（雪崩）额定
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 同步整流器
- 背光源
- 电源管理功能
- DC-DC转换器