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HYG082N03LR1C1
单通道增强模式MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:32A
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- 描述
- 特性：30V/32A，导通电阻RDS(ON)=7.0mΩ（典型值），栅源电压VGS = 10V；导通电阻RDS(ON)=10.5mΩ（典型值），栅源电压VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：直流到直流开关应用的电源管理。 电池保护
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG082N03LR1C1
- 商品编号
- C2827246
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 21.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 787pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 108pF |
商品特性
- 150V/165A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) = 6.2mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠且耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 功率开关应用
- 不间断电源