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HYG082N03LR1C1
1个N沟道 耐压:30V 电流:32A
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- 品牌名称HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG082N03LR1C1商品编号
C2827246商品封装
DFN-8(3x3)包装方式
编带
商品毛重
0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@10V,10A | |
| 功率(Pd) | 21.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 14.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 787pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 65pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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