温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HYG400P10LR1D
P沟道增强型MOSFET,电流:-40A,耐压:100V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG400P10LR1D
- 商品编号
- C2827248
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.373克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 83.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.003nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 111pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 189pF |
商品特性
- 30V/32A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) = 7.0mΩ（典型值）
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 10.5mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- DC/DC电源管理
- 开关应用
- 电池保护
相似推荐
其他推荐