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HYG800P10LR1D

P沟道增强型MOSFET P沟道耐压:100V 电流:20A

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描述: 特性：- 100V / -20A，RDS(ON) = 77mΩ（典型值）@ VGS = -10V。RDS(ON) = 86mΩ（典型值）@ VGS = -2.5V。100%雪崩测试。可靠且耐用。提供无卤和环保器件（符合RoHS标准）。应用：DC/DC转换器中的电源管理。负载开关
品牌名称: HUAYI(华羿微)
商品型号: HYG800P10LR1D
商品编号: C2827249
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.42克(g)

商品参数

商品概述

GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS E系列针对其开关特性进行了优化，以实现电磁干扰（EMI）和效率之间的平衡。其设计使电源系统在满足EMI标准的同时达到最高效率。

商品特性

低漏源导通电阻（RDS(ON)）和品质因数（FOM）
极低的开关损耗
出色的稳定性和一致性
EMI与性能达到平衡

应用领域

-LED照明-充电器-适配器-电视电源-电信电源-服务器电源-太阳能/不间断电源(UPS)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	-
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	110mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	75W
	阈值电压(Vgs(th))	3V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	42.6nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.273nF
	反向传输电容(Crss)	67pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	111pF