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HYG035N02KA1C2
1个N沟道 耐压:20V 电流:95A
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- 描述
- 20V/95A。导通电阻RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 4.5V；导通电阻RDS(ON) = 3.1 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 2.5V；导通电阻RDS(ON) = 4.4 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 1.8V。经过100%雪崩测试
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG035N02KA1C2
- 商品编号
- C2827234
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 57.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47.5nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.082nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 510pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压VDS为 -20V，漏极电流ID为 -0.5A
- 当栅源电压VGS为 -4.5V时，导通状态下的漏源电阻RDS(ON)小于610mΩ
- 当栅源电压VGS为 -2.5V时，导通状态下的漏源电阻RDS(ON)小于920mΩ
- 静电放电保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换