温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HYG060P04LQ1D
P沟道增强型MOSFET,电流:-70A,耐压:-40V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG060P04LQ1D
- 商品编号
- C2827237
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.774nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 403pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 431pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 针对快速开关应用进行优化
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器