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HYG060P04LQ1D
P沟道增强型MOSFET,电流:-70A,耐压:-40V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG060P04LQ1D
- 商品编号
- C2827237
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.774nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 403pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 431pF |
商品特性
- -40V/-70A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) = 5.8 mΩ(典型值)
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 8.5 mΩ(典型值)
- 100%雪崩测试
- 可靠且耐用
- 提供无卤环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 开关应用
- DC/DC转换器中的电源管理
- 电池保护