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HYG065N07NS1D
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:70V 电流:70A
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- 描述
- 特性：70V/70A，RDS(on) = 6mΩ（典型值），VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG065N07NS1D
- 商品编号
- C2827240
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.908nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 844pF |
商品概述
这款高耐用性器件专为高电压驻波比（VSWR）的工业、科学和医疗应用，以及无线电和甚高频（VHF）电视广播、低于1 GHz的移动无线电应用而设计。其非匹配输入和输出设计允许在1.8至500 MHz的宽频率范围内使用。
商品特性
- 高漏源雪崩能量吸收能力
- 非匹配输入和输出，可实现宽频率范围应用
- 器件可单端使用或采用推挽配置
- 在30至50 V电压下进行特性表征，便于使用
- 适用于线性应用
- 集成静电放电（ESD）保护，具有更大的负栅源电压范围，可改善C类工作状态
- 提供低热阻型号：MRF1K50N
- 纳入恩智浦（NXP）产品长寿命计划，产品推出后至少保证供应15年
应用领域
- 工业、科学、医疗（ISM）
- 激光产生
- 等离子体蚀刻
- 粒子加速器
- 磁共振成像（MRI）及其他医疗应用
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 广播
- 无线电广播
- 甚高频电视广播
- 移动无线电
- 甚高频和超高频（UHF）基站
- 甚高频全向信标（VOR）
- 高频和甚高频通信
- 气象雷达