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HYG050N08NS1P
1个N沟道 耐压:80V 电流:130A
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- 描述
- 特性：80V/130A。 RDS(ON)=4mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG050N08NS1P
- 商品编号
- C2827236
- 商品封装
- TO-220FB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.77nF |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。它旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS通用系列针对极致开关性能进行了优化，以最大限度地降低开关损耗。它专为高功率密度应用而设计，以满足最高效率标准。
商品特性
- 低RDS(ON)和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
应用领域
- 电脑电源-LED照明-电信电源-服务器电源-电动汽车充电器-太阳能/不间断电源(UPS)