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HYG023N03LR1D
1个N沟道 耐压:30V 电流:110A
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- 描述
- 特性：30V/110A，RDS(ON)=2.1mΩ（典型值）@VGS = 10V，RDS(ON)=2.7mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。100%雪崩测试。可靠耐用。有无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。DC/DC电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG023N03LR1D
- 商品编号
- C2827230
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 462pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 561pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，不仅能实现极低的导通电阻，还能降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的品质因数（FoM）
- 低Crss/Ciss比，具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐用性
应用领域
- 开关应用