HYG032N03LR1C1
单N沟道,电流:55A,耐压:30V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG032N03LR1C1
- 商品编号
- C2827233
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.872nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 277pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 332pF |
商品概述
CS4N65 A4R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准。
商品特性
- 30V/55A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 3.3 mΩ(典型值)
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 4.3 mΩ(典型值)
- 100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- DC/DC电源管理
- 开关应用
- 电池保护