温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HY4008B6
N沟道增强型MOSFET,电流:255A,耐压:80V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY4008B6
- 商品编号
- C2827228
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 255A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 209nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.457nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 822pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |