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HY4008B6
N沟道增强型MOSFET,电流:255A,耐压:80V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY4008B6
- 商品编号
- C2827228
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 255A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 209nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.457nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 822pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 国际标准封装
- 快速本征二极管
- 雪崩额定
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）
- 低封装电感
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- DC-DC 转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流斩波器
- 交流和直流电机驱动器
- 不间断电源
- 高速功率开关应用