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HYG018N10NS1B6
N沟道增强型MOSFET,电流:322A,耐压:100V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG018N10NS1B6
- 商品编号
- C2827229
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 322A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 205nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 208pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.45nF |
商品特性
- 100V/322A
- RDS(ON) = 1.4 mΩ(典型值),VGS = 10 V
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件(符合 RoHS 标准)
应用领域
- 储能
- 电池保护
- 电池供电工具