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HYG018N10NS1B6
1个N沟道 耐压:100V 电流:322A
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- 品牌名称HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG018N10NS1B6商品编号
C2827229商品封装
TO-263-6包装方式
编带
商品毛重
1.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 322A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4mΩ@10V,100A | |
| 功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 205nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 12.57nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 208pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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