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AO7800

2个N沟道耐压:20V 电流:0.9A

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描述: N沟道,20V,0.9A,300mΩ@4.5V
品牌名称: AOS
商品型号: AO7800
商品编号: C28739
商品封装: SC-70-6(SOT-323-6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.036克(g)

商品参数

FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 900mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：1.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：120pF @ 10V
功率 - 最大值：300mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-70-6

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	900mA
	导通电阻(RDS(on))	300mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	190mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	900mV@250uA
	栅极电荷量(Qg)	1.9nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	120pF
	反向传输电容(Crss)	14pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道