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AO4421
1个P沟道 耐压:60V 电流:6.2A
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- 描述
- 将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻。该器件适用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4421
- 商品编号
- C33484
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 |