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AO7401

环保标识
  • 1个P沟道 耐压:30V 电流:1.4A

  • SMT扩展库
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  • 描述

    P-ChannelMOSFET

  • 品牌名称AOS
  • 商品型号

    AO7401
  • 商品编号

    C35841
  • 商品封装

    SC-70-3
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.03克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)1.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)200mΩ@2.5V,1A
功率(Pd)220mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)3.5nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)315pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)20pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 1.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.06nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):409pF @ 15V
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:SC-70-3

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