AO7401
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.4A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
P-ChannelMOSFET
- 品牌名称AOS
商品型号
AO7401商品编号
C35841商品封装
SC-70-3包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@2.5V,1A | |
功率(Pd) | 220mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.5nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 315pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 1.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.06nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):409pF @ 15V
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:SC-70-3
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 1.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.06nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):409pF @ 15V
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:SC-70-3
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
售价
折合1圆盘
5+¥0.9381
50+¥0.7491
150+¥0.6681
500+¥0.567
3000+¥0.522¥1566
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
4,260
江苏仓
0
SMT仓
4,637
购买数量(3000个/圆盘,最小起订量 5 个 )
个
起订量:5 个3000个/圆盘
近期成交13单