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AO4806

2个N沟道耐压:20V

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描述: N沟道,20V,9.4A,15mΩ@4.5V
品牌名称: AOS
商品型号: AO4806
商品编号: C39406
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.205克(g)

商品参数

FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：14 毫欧 @ 9.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：17.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1810pF @ 10V
功率 - 最大值：2W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	14mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	1V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	17.9nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.81nF
	反向传输电容(Crss)	200pF
	工作温度	-
	配置	-
	输出电容(Coss)	232pF