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AO3422
1个N沟道 耐压:55V 电流:10A
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- 描述
- N沟道,55V,2.1A,160mΩ@4.5V
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO3422
- 商品编号
- C37130
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.1A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：3.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：300pF @ 25V
功率 - 最大值：1.25W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3L
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.1A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：3.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：300pF @ 25V
功率 - 最大值：1.25W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3L
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